晶圆级电极工艺，实测电学性能公开可查
CdTe Electrode Chip
在碲化镉晶片基础上完成电极制备，提供晶圆级与芯片级产品。电极图形化工艺成熟，阵列排布规整，配套公开 I-V 特性与 μτ 拟合实测数据，帮助客户缩短器件验证周期。
PERFORMANCE TEST
I-V 特性曲线
电流随偏压线性响应，欧姆接触良好，漏电流水平低。
μτ 拟合曲线
电子迁移率寿命积 μτ=3.2×10⁻³ cm²/V。
其他产品
碲化镉单晶
碲锌镉单晶
提供材料规格建议与样品验证支持，工作日及时响应。
