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公司动态2026-07-18

碲化镉电极芯片性能测试数据更新

更新电极芯片 I-V 特性与 μτ 拟合实测曲线,电子迁移率寿命积 μτ=3.2×10⁻³ cm²/V,漏电流保持 pA 级水平,数据已在产品中心公开。