碲化镉单晶、晶圆与晶片
高电阻率直接转换探测材料，晶体质量实测可控
CdTe Crystal / Wafer / Substrate
产品实拍
单晶锭晶圆晶片
提供碲化镉（CdTe）单晶锭、晶圆与晶片多种形态，晶体生长工艺稳定，晶片表面平整、边缘完整，可按客户器件工艺要求定制尺寸与厚度，支撑探测器器件的快速验证与迭代。
- 供应形态：单晶锭
- 供应形态：晶圆
- 供应形态：晶片
- 支持按客户器件工艺要求定制尺寸与规格
TECHNICAL PARAMETERS
技术参数
| 化学式 Chemical formula | CdTe |
|---|---|
| 晶体结构 Crystal structure | Cubic crystal system（立方晶系） |
| 晶格常数 Constant of lattice | a=0.648 nm |
| 密度 Density | 5.850 g/cm³ |
| 熔点 Point of melting | 1092°C |
| 纯度 Purity | ＞99.99999% |
| 禁带宽度 Band gap | 1.46 eV |
| 晶向 Direction of crystal | （111）、（110）、（100），可定制 |
| 晶向公差 Tolerance of crystal direction | ±0.5° |
| 表面处理 Surface treatment | 单面抛光 / 双面抛光 |
| 位错密度 Density of dislocations | ＜5×10⁴ cm⁻² |
| 导电类型 Type of conduction | P、N |
| 夹杂密度 Density of inclusion | ＜1×10⁴ cm⁻² |
| 电阻率 Electrical resistivity | ＞1×10⁹ Ω·cm，可定制 |
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